产品名称： SVF10N65T,SVF10N65 10A650VMOS,SVF10N65T代理商,SVF10N65T TO-220F,原装正品SVF10N65T
SVF10N65T是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.SVF10N65T可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.
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- 产品编号: SVF10N65T,SVF10N65 10A650VMOS
产品详细介绍
SVF10N65T,SVF10N65,10A650V,SVF10N65T TO-220F详细说明:
产品名称:SVF10N65T 10A/650V 打印名称:SVF10N65T 材料:无铅
封装:TO-220F（TO-220F-3L） 包装:料管 最小包装100/管,1000/盒,5000/箱
SVF1065F描述:
SVF10N65T是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.
SVF10N65T可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.
SVF10N65T的特点:
SVF10N65T 10A,650V,Rds(on)(典型值）=0.80欧@Vgs=10V
SVF10N65T低栅极电荷量
SVF10N65T低反向传输电容
SVF10N65T开关速度快
SVF10N65T提升了DV/DT能力
若您需要SVF10N65T规格说明书或SVF10N65T样品样片,请联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
SVF10N65T前辍尾辍命名规则:
SVF10N65T的分类:
SVF10N65T的极限参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
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SVF10N65T热阻特性:
SVF10N65T电性参数（除非特殊说明,Tc=25℃）::
SVF10N65T源-漏二极管特性参数:
若您需要SVF10N65T规格说明书或SVF10N65T样品样片,请联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
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