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        • 产品名称: SVF7N65FT,SVF7N65 7A650VMOS,SVF7N65FT代理商,SVF7N65FT TO-220F,原装正品SVF7N65FT
        • 产品编号: SVF7N65FT,SVF7N65 7A650VMOS
        • 浏览次数: 525

         

        SVF7N65FT,SVF7N65,7A650V,SVF7N65FT TO-220F详细说明:

         

        产品名称:SVF7N65FT 7A/650V   打印名称:SVF7N65FT  材料:无卤

        封装:TO-220F(TO-220F-3L)   包装:料管  最小包装100/管,1000/盒,5000/箱

         

        SVF1065FT描述:

        SVF7N65FT是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.

            SVF7N65FT可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.

        SVF7N65FT的特点:

            SVF7N65FT 7A,650V,Rds(on)(典型值)=1.1欧@Vgs=10V

            SVF7N65FT低栅极电荷量

        SVF7N65FT低反向传输电容

        SVF7N65FT开关速度快

        SVF7N65FT提升了DV/DT能力

         

            若您需要SVF7N65FT规格说明书或SVF7N65FT样品样片等详细产品信息,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF7N65FT前辍尾辍命名规则:

         

        SVF7N65FT的分类:

         

        SVF7N65FT的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

         

         若您需要SVF7N65FT规格说明书或SVF7N65FT样品样片等其它产品详细信息,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF7N65FT热阻特性:

         

        SVF7N65FT电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

        SVF7N65FT源-漏二极管特性参数:

            

         

           若您需要SVF7N65FT规格说明书或SVF7N65FT样品样片等其它产品详细信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

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