产品名称： SVF10N60F,SVF10N60 10A600VMOS,SVF10N60F代理商,SVF10N60F TO-220F,原装正品SVF10N60F
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- 产品编号: SVF10N60F,SVF10N60,10A600V
产品详细介绍
SVF10N60F,SVF10N60,10A600V,SVF10N60F TO-220F详细说明:
产品名称:SVF10N60F 10A/600V 打印名称:SVF10N60F 材料:无铅
封装:TO-220F（TO-220F-3L） 包装:料管 最小包装100/管,1000/盒,5000/箱
SVF10N60F描述:
SVF10N60F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.
SVF10N60F可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.
SVF10N60F的特点:
SVF10N60F 10A,600V,Rds(on)(典型值）=0.80欧@Vgs=10V
SVF10N60F低栅极电荷量
SVF10N60F低反向传输电容
SVF10N60F开关速度快
SVF10N60F提升了DV/DT能力
若您需要SVF10N60F规格说明书或SVF10N60F样品样片,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
SVF10N60F前辍尾辍命名规则:
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SVF10N60F的分类:
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SVF10N60F的极限参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
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SVF10N60F热阻特性:
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SVF10N60F电性参数（除非特殊说明,Tc=25℃）::
SVF10N60F源-漏二极客特性参数:
若您需要SVF10N60F规格说明书或SVF10N60F样品样片,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联
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