产品名称： SVF12N60F,SVF12N60 12A600V MOS,士兰微SVF12N60F代理商,SVF12N60F TO-220F,原装正品SVF12N60F
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- 产品编号: SVF12N60F,SVF12N60 12A600V MOS
产品详细介绍
SVF12N60F,SVF12N60 12A600V,SVF12N60F TO-220F-3L详细说明:
产品名称:SVF12N60F 12A/600V 打印名称:SVF12N60F 材料:无铅
封装: TO-220F-3L 包装:料管 最小包装100/管,1000/盒,5000/箱
SVF12N60F描述:
SVF12N60F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF12N60F该产品可广泛用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换
器，高压H桥PWM马达驱动。
SVF12N60F的特点:
SVF12N60F 12A，600V，RDS(on)（典型值）=0.68Ω@VGS=10V
SVF12N60F低栅极电荷量
SVF12N60F低反向传输电容
SVF12N60F开关速度快
SVF12N60F提升了dv/dt 能力
若您需要SVF12N60F规格说明书、SVF12N60F样品样片,或者想了解SVF12N60F的现货、SVF12N60F价格，欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
SVF12N60F前辍尾辍命名规则:
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SVF12N60F的分类:
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SVF12N60F的极限参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
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SVF12N60F热阻特性:
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SVF12N60F电性参数（除非特殊说明,Tc=25℃）::
SVF12N60F源-漏二极管特性参数:
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