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        • 产品名称: SVF10N65F,SVF10N65 10A650VMOS,SVF10N65F代理商,SVF10N65F TO-220F,原装正品SVF10N65F
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        SVF10N65F,SVF10N65,10A650V,SVF10N65F TO-220F详细说明:
         
        产品名称:SVF10N65F 10A/650V        打印名称:SVF10N65F        材料:无铅
        封装:TO-220F(TO-220F-3L)          包装:料管    最小包装:100/管,1000/盒,5000/箱
         
        SVF1065F描述:
            SVF10N65F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.
            SVF10N65F可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.
         
        SVF10N65F的特点:
            SVF10N65F 10A,650V,Rds(on)(典型值)=0.80欧@Vgs=10V
            SVF10N65F低栅极电荷量
            SVF10N65F低反向传输电容
            SVF10N65F开关速度快
            SVF10N65F提升了DV/DT能力
         
            若您需要SVF10N65F规格说明书或SVF10N65F样品样片,请联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
         
        SVF10N65F前辍尾辍命名规则:
         
        SVF10N65F的分类:
         
        SVF10N65F的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):
         
             若您需要SVF10N65F规格说明书或SVF10N65F样品样片,请联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
         
        SVF10N65F热阻特性:
         
        SVF10N65F电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃)::
         
        SVF10N65F源-漏二极管特性参数:
            
         
            若您需要SVF10N65F规格说明书或SVF10N65F样品样片,请联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
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