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        • 产品名称: SVF7N65T,SVF7N65 7A650VMOS,SVF7N65T代理商,SVF7N65T TO-220,原装正品SVF7N65T
        • 产品编号: SVF7N65T,SVF7N65 7A650VMOS
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        SVF7N65T,SVF7N65,7A650V,SVF7N65T TO-220详细说明:

         

        产品名称:SVF7N65T 7A/650V  打印名称:SVF7N65T  材料:无铅

        封装:TO-220(TO-220-3L)   包装:料管  最小包装100/管,1000/盒,5000/箱

         

        SVF1065T描述:

        SVF7N65T是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.

            SVF7N65T可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.

        SVF7N65T的特点:

            SVF7N65T 7A,650V,Rds(on)(典型值)=1.1欧@Vgs=10V

            SVF7N65T低栅极电荷量

        SVF7N65T低反向传输电容

        SVF7N65T开关速度快

        SVF7N65T提升了DV/DT能力

         

            若您需要SVF7N65T规格说明书或SVF7N65T样品样片等详细信息,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF7N65T前辍尾辍命名规则:

         

        SVF7N65T的分类:

         

        SVF7N65T的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

         

         若您需要SVF7N65T规格说明书或SVF7N65T样品样片等详细产品信息,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF7N65T热阻特性:

         

        SVF7N65T电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

         

        SVF7N65T源-漏二极管特性参数:

            

         

           若您需要SVF7N65T规格说明书或SVF7N65T样品样片等详细产品信息,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

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