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        • 产品名称: SVF12N65F,SVF12N6512A650VMOS,SVF12N65F代理商,SVF12N65F TO-220F,原装正品SVF12N65F
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        SVF12N65F,士兰微SVF12N65 12A650V,SVF12N65F TO-220F-3L详细说明:

         
               产品名称:SVF12N65F 12A/650V      打印名称:SVF12N65F  材料:无铅
               封装: TO-220F-3L    包装:料管    最小包装100/管,1000/盒,5000/箱
         
              SVF12N65F描述:
              SVF12N65F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
             SVF12N65F该产品可广泛用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。             
             SVF12N65F的特点:
             SVF12N65F12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.68Ω@VGS=10V
             SVF12N65F低栅极电荷量
             SVF12N65F低反向传输电容
             SVF12N65F开关速度快
             SVF12N65F提升了dv/dt 能力
         
               若您需要SVF12N65F规格说明书、SVF12N65F样品样片,或者想了解SVF12N65F的现货、SVF12N65F价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
         
        SVF12N65F前辍尾辍命名规则:
         
        SVF12N65F的分类:
         
        SVF12N65F的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):
         
               若您需要SVF12N65F规格说明书、SVF12N65F样品样片,或者想了解SVF12N65F的现货、SVF12N65F价格欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
         
        SVF12N65F热阻特性:
         
        SVF12N65F电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃)::
         
        SVF12N65F源-漏二极管特性参数:
             
         
                若您需要SVF12N65F规格说明书、SVF12N65F样品样片,或者想了解SVF12N65F的现货、SVF12N65F价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
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