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        • 产品名称: SVF4N65F,士兰微SVF4N65F代理商,原装正品SVF4N65F,SVF4N65F TO-220F
        • 产品编号: 士兰微SVF4N65F代理商,原装正品SVF4N65F
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        SVF4N65F,SVF4N65,4A650V,SVF4N65F TO-220-3L详细说明:

         

               产品名称:SVF4N65F 4A/650V  打印名称:SVF4N65F  材料:无铅

              封装: TO-220F-3L   包装:料管  最小包装100/管,1000/盒,5000/箱

              SVF4N65F描述:

          SVF4N65F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

             SVF4N65F该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。                      

             SVF4N65F的特点:

             SVF4N65F 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.5Ω@VGS=10V

             SVF4N65F低栅极电荷量

         SVF4N65F低反向传输电容

         SVF4N65F开关速度快

         SVF4N65F提升了dv/dt 能力

         

             若您需要SVF4N65F规格说明书、SVF4N65F样品样片,或者了解SVF4N65F价格、SVF4N65F现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF4N65F前辍尾辍命名规则:

        SVF4N65F的分类:

        SVF4N65F的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

               若您需要SVF4N65F规格说明书、SVF4N65F样品样片,或者了解SVF4N65F价格、SVF4N65F现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF4N65F热阻特性:

        SVF4N65F电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃)::

        SVF4N65F源-漏二极管特性参数:

           

           若您需要SVF4N65F规格说明书、SVF4N65F样品样片,或者了解SVF4N65F价格、SVF4N65F现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

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