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        • 产品名称: SVF10N60F,SVF10N60 10A600VMOS,SVF10N60F代理商,SVF10N60F TO-220F,原装正品SVF10N60F
        • 产品编号: SVF10N60F,SVF10N60,10A600V
        • 浏览次数: 3532

         

        SVF10N60F,SVF10N60,10A600V,SVF10N60F TO-220F详细说明:

         

        产品名称:SVF10N60F 10A/600V  打印名称:SVF10N60F  材料:无铅

        封装:TO-220F(TO-220F-3L)   包装:料管  最小包装100/管,1000/盒,5000/箱

         

        SVF10N60F描述:

        SVF10N60F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CELL平面高压VDMOS工艺技术制造.先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.

            SVF10N60F可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动等方面.

        SVF10N60F的特点:

            SVF10N60F 10A,600V,Rds(on)(典型值)=0.80欧@Vgs=10V

            SVF10N60F低栅极电荷量

        SVF10N60F低反向传输电容

        SVF10N60F开关速度快

        SVF10N60F提升了DV/DT能力

         

            若您需要SVF10N60F规格说明书或SVF10N60F样品样片,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF10N60F前辍尾辍命名规则:

         

        SVF10N60F的分类:

         

        SVF10N60F的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

         

         若您需要SVF10N60F规格说明书或SVF10N60F样品样片,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF10N60F热阻特性:

         

        SVF10N60F电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃)::

         

         

        SVF10N60F源-漏二极客特性参数:

            

         

           若您需要SVF10N60F规格说明书或SVF10N60F样品样片,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联
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