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        • 产品名称: SVF12N60F,SVF12N60 12A600V MOS,士兰微SVF12N60F代理商,SVF12N60F TO-220F,原装正品SVF12N60F
        • 产品编号: SVF12N60F,SVF12N60 12A600V MOS
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        SVF12N60F,SVF12N60 12A600V,SVF12N60F TO-220F-3L详细说明:

         

        产品名称:SVF12N60F 12A/600V  打印名称:SVF12N60F  材料:无铅

        封装: TO-220F-3L    包装:料管  最小包装100/管,1000/盒,5000/箱

         

        SVF12N60F描述:

        SVF12N60F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

            SVF12N60F该产品可广泛用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换

        器,高压H桥PWM马达驱动。            

        SVF12N60F的特点:

            SVF12N60F 12A,600V,RDS(on)(典型值)=0.68Ω@VGS=10V

            SVF12N60F低栅极电荷量

        SVF12N60F低反向传输电容

        SVF12N60F开关速度快

        SVF12N60F提升了dv/dt 能力

         

            若您需要SVF12N60F规格说明书、SVF12N60F样品样片,或者想了解SVF12N60F的现货、SVF12N60F价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF12N60F前辍尾辍命名规则:

         

        SVF12N60F的分类:

         

        SVF12N60F的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

         

         若您需要SVF12N60F规格说明书、SVF12N60F样品样片,或者想了解SVF12N60F的现货、SVF12N60F价格欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF12N60F热阻特性:

         

        SVF12N60F电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃)::

         

         

        SVF12N60F源-漏二极管特性参数:

            

         

           若您需要SVF12N60F规格说明书、SVF12N60F样品样片,或者想了解SVF12N60F的现货、SVF12N60F价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

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