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- 产品编号: SVF12N65F,SVF12N6512A650VMOS,原装
产品详细介绍
SVF12N65F,士兰微SVF12N65 12A650V，SVF12N65F TO-220F-3L详细说明:
产品名称:SVF12N65F 12A/650V 打印名称:SVF12N65F 材料:无铅
封装: TO-220F-3L 包装:料管 最小包装100/管,1000/盒,5000/箱
SVF12N65F描述:
SVF12N65F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF12N65F该产品可广泛用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
SVF12N65F的特点:
SVF12N65F12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.68Ω@VGS=10V
SVF12N65F低栅极电荷量
SVF12N65F低反向传输电容
SVF12N65F开关速度快
SVF12N65F提升了dv/dt 能力
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SVF12N65F前辍尾辍命名规则:
SVF12N65F的分类:
SVF12N65F的极限参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
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SVF12N65F热阻特性:
SVF12N65F电性参数（除非特殊说明,Tc=25℃）::
SVF12N65F源-漏二极管特性参数:
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