安格瑞科技/安格瑞欢迎您!
新浪微博     腾讯微博     注册     登录     添加收藏     在线留言     联系安格瑞     网站地图

        400-880-5552 ADD:
        广东省 深圳市  龙华新区

        安格瑞科技/安格瑞集团

        您现在的位置:首页 >> 原装IC芯片代理 >> 原装IC按品牌分类 >> Silan士兰微 >> SVF12N65T,士兰微SVF12N65T代理商,原装正品SVF12N65T,SVF12N65T TO-220
        • 产品名称: SVF12N65T,士兰微SVF12N65T代理商,原装正品SVF12N65T,SVF12N65T TO-220
        • 产品编号: SVF12N65T,士兰微SVF12N65T代理商
        • 浏览次数: 582

         

        SVF12N65T,SVF12N65 12A650V,SVF12N65T TO-220-3L详细说明:

         

                产品名称:SVF12N65T 12A/650V  打印名称:SVF12N65T  材料:无铅

                封装: TO-220-3L    包装:料管  最小包装100/管,1000/盒,5000/箱

         

                SVF12N65T描述:

            SVF12N65T是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

                SVF12N65T该产品可广泛用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。            

                SVF12N65T的特点:

                SVF12N65T 12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.68Ω@VGS=10V

                SVF12N65T低栅极电荷量

            SVF12N65T低反向传输电容

            SVF12N65T开关速度快

            SVF12N65T提升了dv/dt 能力

         

               若您需要SVF12N65T规格说明书、SVF12N65T样品样片,或者想了解SVF12N65T的现货、SVF12N65T价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF12N65T前辍尾辍命名规则:

        SVF12N65T的分类:

        SVF12N65T的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

               若您需要SVF12N65T规格说明书、SVF12N65T样品样片,或者想了解SVF12N65T的现货、SVF12N65T价格欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF12N65T热阻特性:

        SVF12N65T电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

        SVF12N65T源-漏二极管特性参数:

            

         

           若您需要SVF12N65T规格说明书、SVF12N65T样品样片,或者想了解SVF12N65T的现货、SVF12N65T价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

        版权所有 © 深圳市安格瑞科技有限公司 Ange Rui Technology Co.,Ltd of Shenzhen Citl       粤ICP备13086018号-1 技术支持:格瑞