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产品名称: SVF12N65T,士兰微SVF12N65T代理商,原装正品SVF12N65T,SVF12N65T TO-220
安格瑞集团是拥有11年IC集成电路和元器件服务经验,专注于SVF12N65T,SVF12N65 12A650V,SVF12N65T TO-220,原装正品SVF12N65T,是SVF12N65T代理商,若您需要了解SVF12N65T功能|参数|特点|PDF规格说明书|样品样片等相关信息,请致电电话400-880-5552
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- 产品编号: SVF12N65T,士兰微SVF12N65T代理商
产品详细介绍
SVF12N65T,SVF12N65 12A650V,SVF12N65T TO-220-3L详细说明:
产品名称:SVF12N65T 12A/650V 打印名称:SVF12N65T 材料:无铅
封装: TO-220-3L 包装:料管 最小包装100/管,1000/盒,5000/箱
SVF12N65T描述:
SVF12N65T是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF12N65T该产品可广泛用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
SVF12N65T的特点:
SVF12N65T 12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.68Ω@VGS=10V
SVF12N65T低栅极电荷量
SVF12N65T低反向传输电容
SVF12N65T开关速度快
SVF12N65T提升了dv/dt 能力
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SVF12N65T前辍尾辍命名规则:
SVF12N65T的分类:
SVF12N65T的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):
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SVF12N65T热阻特性:
SVF12N65T电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃):
SVF12N65T源-漏二极管特性参数:
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