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产品名称: SVF12N65T,士兰微SVF12N65T代理商,原装正品SVF12N65T,SVF12N65T TO-220


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    • 产品编号: SVF12N65T,士兰微SVF12N65T代理商

产品详细介绍

 

SVF12N65T,SVF12N65 12A650V,SVF12N65T TO-220-3L详细说明:

 

        产品名称:SVF12N65T 12A/650V  打印名称:SVF12N65T  材料:无铅

        封装: TO-220-3L    包装:料管  最小包装100/管,1000/盒,5000/箱

 

        SVF12N65T描述:

    SVF12N65T是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

        SVF12N65T该产品可广泛用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。            

        SVF12N65T的特点:

        SVF12N65T 12A,650V,RDS(on)(典型值)=0.68Ω@VGS=10V

        SVF12N65T低栅极电荷量

    SVF12N65T低反向传输电容

    SVF12N65T开关速度快

    SVF12N65T提升了dv/dt 能力

 

       若您需要SVF12N65T规格说明书、SVF12N65T样品样片,或者想了解SVF12N65T的现货、SVF12N65T价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

 

SVF12N65T前辍尾辍命名规则:

SVF12N65T的分类:

SVF12N65T的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

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SVF12N65T热阻特性:

SVF12N65T电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

SVF12N65T源-漏二极管特性参数:

    

 

   若您需要SVF12N65T规格说明书、SVF12N65T样品样片,或者想了解SVF12N65T的现货、SVF12N65T价格,欢迎联系代理安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

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