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产品名称: SVF4N65F,士兰微SVF4N65F代理商,原装正品SVF4N65F,SVF4N65F TO-220F
安格瑞集团是拥有11年IC集成电路和元器件服务经验,专注于SVF4N65F,SVF4N65 4A650V,SVF4N65F TO-220F,原装正品SVF4N65F,是SVF4N65F代理商,若您需要了解SVF4N65F功能|参数|特点|PDF规格说明书|样品样片等相关信息,请致电电话400-880-5552
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- 产品编号: 士兰微SVF4N65F代理商,原装正品SVF4N65F
产品详细介绍
SVF4N65F,SVF4N65,4A650V,SVF4N65F TO-220-3L详细说明:
产品名称:SVF4N65F 4A/650V 打印名称:SVF4N65F 材料:无铅
封装: TO-220F-3L 包装:料管 最小包装100/管,1000/盒,5000/箱
SVF4N65F描述:
SVF4N65F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF4N65F该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
SVF4N65F的特点:
SVF4N65F 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.5Ω@VGS=10V
SVF4N65F低栅极电荷量
SVF4N65F低反向传输电容
SVF4N65F开关速度快
SVF4N65F提升了dv/dt 能力
若您需要SVF4N65F规格说明书、SVF4N65F样品样片,或者了解SVF4N65F价格、SVF4N65F现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
SVF4N65F前辍尾辍命名规则:
SVF4N65F的分类:
SVF4N65F的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):
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SVF4N65F热阻特性:
SVF4N65F电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃)::
SVF4N65F源-漏二极管特性参数:
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