产品名称： SVF4N65D,SVF4N65D代理商,SVF4N65 4A650VMOS,原装正品SVF4N65D
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- 产品编号: SVF4N65 4A650VMOS,原装正品SVF4N65D
产品详细介绍
SVF4N65D,SVF4N65,4A650V,SVF4N65D TO-252详细说明:
产品名称:SVF4N65D 4A/650V 打印名称:SVF4N65D 材料:无铅
封装: TO-252 包装:料管 最小包装2500/盘
SVF4N65D描述:
SVF4N65D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF4N65D该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
SVF4N65D的特点:
SVF4N65D 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.5Ω@VGS=10V
SVF4N65D低栅极电荷量
SVF4N65D低反向传输电容
SVF4N65D开关速度快
SVF4N65D提升了dv/dt 能力
若您需要SVF4N65D规格说明书、SVF4N65D样品样片，或者了解SVF4N65D价格、SVF4N65D现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.
SVF4N65D前辍尾辍命名规则:
SVF4N65D的分类:
SVF4N65D的极限参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
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SVF4N65D热阻特性:
SVF4N65D电性参数（除非特殊说明,Tc=25℃）::
SVF4N65D源-漏二极管特性参数:
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