产品名称： SVF4N65M,SVF4N65M代理商,原装正品SVF4N65M,SVF4N65 4A650VMOS
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- 产品编号: 原装正品SVF4N65M,SVF4N65 4A650VMOS
产品详细介绍
SVF4N65M,SVF4N65,4A650V,SVF4N65M TO-251详细说明:
产品名称:SVF4N65M 4A/650V 打印名称:SVF4N65M 材料:无铅
封装: TO-251 包装:料管 最小包装4500/盒，5盒/箱
SVF4N65M描述:
SVF4N65M是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF4N65M该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
SVF4N65M的特点:
SVF4N65M 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.5Ω@VGS=10V
SVF4N65M低栅极电荷量
SVF4N65M低反向传输电容
SVF4N65M开关速度快
SVF4N65M提升了dv/dt 能力
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SVF4N65M前辍尾辍命名规则:
SVF4N65M的分类:
SVF4N65M的极限参数（除非特殊说明,Tc=25℃）:
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SVF4N65M热阻特性:
SVF4N65M电性参数（除非特殊说明,Tc=25℃）::
SVF4N65M源-漏二极管特性参数:
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