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        • 产品名称: SVF4N65M,SVF4N65M代理商,原装正品SVF4N65M,SVF4N65 4A650VMOS
        • 产品编号: 原装正品SVF4N65M,SVF4N65 4A650VMOS
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        SVF4N65M,SVF4N65,4A650V,SVF4N65M TO-251详细说明:

         

                产品名称:SVF4N65M 4A/650V  打印名称:SVF4N65M  材料:无铅

                封装: TO-251   包装:料管  最小包装4500/盒,5盒/箱

         

                SVF4N65M描述:

            SVF4N65M是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

                SVF4N65M该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。                      

             SVF4N65M的特点:

            SVF4N65M 4A,650V,RDS(on)(典型值)=2.5Ω@VGS=10V

            SVF4N65M低栅极电荷量

        SVF4N65M低反向传输电容

        SVF4N65M开关速度快

        SVF4N65M提升了dv/dt 能力

         

                若您需要SVF4N65M规格说明书、SVF4N65M样品样片,或者了解SVF4N65M价格、SVF4N65M现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF4N65M前辍尾辍命名规则:

        SVF4N65M的分类:

        SVF4N65M的极限参数(除非特殊说明,Tc=25℃):

              若您需要SVF4N65M规格说明书、SVF4N65M样品样片,或者了解SVF4N65M价格、SVF4N65M现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

         

        SVF4N65M热阻特性:

        SVF4N65M电性参数(除非特殊说明,Tc=25℃)::

        SVF4N65M源-漏二极管特性参数:

            

               若您需要SVF4N65M规格说明书、SVF4N65M样品样片,或者了解SVF4N65M价格、SVF4N65M现货等信息,请联系安格瑞集团,或致电400-880-5552,也可与本站在线客服联系.

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